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陶瓷電容的(de)失效分析

陶(táo)瓷電容的應(yīng)用已經越來(lai)越廣了，但我(wo)們都知道，陶(táo)⚽瓷電容是會(hui)損壞的，是會(huì)失效的，導緻(zhì)陶瓷電容失(shī)效的原因有(yǒu)很多，這次我(wo)們來分下下(xia)陶瓷電容失(shī)效後的情況(kuang)。通過掃描電(diàn)鏡發現的陶(táo)瓷電介質微(wēi)觀形貌，可以(yi)看到失效的(de)樣貌和原樣(yang)相比不僅顔(ya)色發生變化(huà)，而且有裂紋(wen)和不完整🔞的(de)的存在。陶瓷(cí)介質中存在(zài)一些大小不(bu)等💔的微小孔(kǒng)洞，等效于介(jiè)質厚度減小(xiao)，可能會降🌈低(di)電容器的擊(jī)穿絕緣強度(dù)。内電極之間(jiān)是陶瓷介質(zhi)，陶瓷介質中(zhong)分布着一-些(xiē)大小不☂️等的(de)微小孔洞，在(zai)高🌈溫下電極(jí)非常✍️容易☀️擴(kuò)散遷移，擴散(san)到🐉陶瓷介質(zhì)中，在潮濕和(he)雜質離子🈲的(de)作用下，這些(xiē)孔洞成爲電(diàn)極遷
薄膜電(dian)容的自愈性(xing)與制造工藝(yì)有關

我們在(zài)制造薄膜電(diàn)容的過程中(zhong)，影響産品性(xìng)能的🔅因素很(hěn)🌍多，往往在制(zhi)造工藝的控(kòng)制及工藝方(fang)法的選擇上(shang)會對電容器(qi)的電🍉性能變(bian)化起決定性(xing)的作⭐用，因此(cǐ)🈲，設計電容器(qi)時，我們在正(zhèng)确選取介質(zhi)場強，産品内(nèi)外❌部結構，主(zhu)要結構材料(liao)，電容器發熱(re)等因素的同(tong)時，還須考慮(lǜ)制造‼️工藝的(de)可靠性設計(jì)，盡量📱減少造(zao)成大👉量自愈(yù)點的出現及(jí)大量低阻短(duǎn)路的發生。因(yīn)此，須注意以(yǐ)下幾點:1.正确(que)選擇介質材(cái)料及介質場(chang)強，對于聚酯(zhi)膜，般用于直(zhí)流電容器。對(duì)于聚丙烯膜(mó)，一般用于交(jiao)流🔞及低損🚩耗(hào)的直流電容(róng)器。2.爲防止引(yǐn)發自愈大量(liang)發生的灰塵(chén)、雜質等✌️的進(jìn)入，應嚴格控(kòng)制金屬化膜(mó)的
你不可錯(cuò)過的關于壓(ya)敏電阻殘壓(yā)問題

壓敏電(diàn)阻産生的殘(can)壓沒辦法去(qu)除，因爲壓敏(min)電阻是一種(zhǒng)🌈限📱壓完件，每(mei)個型号的壓(yā)敏都有不同(tong)的殘📱壓，殘壓(yā)随着流過壓(yā)敏電阻的電(diàn)流越大，殘壓(yā)越高，屬于非(fei)線性元件。在(zài)壓敏電阻中(zhong)要界定标稱(cheng)電壓和殘壓(ya)的原因？标稱(chēng)電壓是其🙇‍♀️保(bǎo)護電壓，就是(shi)說超過标稱(cheng)電壓⭐壓敏電(dian)阻就會導通(tōng)放電。壓敏電(diàn)阻要保護的(de)電壓值是不(bú)超過标稱電(dian)壓還是殘壓(ya)?殘壓是說壓(ya)敏導通放電(diàn)時流過電流(liú)在💔電阻上産(chan)生的電壓，也(ye)就是電路還(hai)會殘留的電(diàn)壓，如輸入500V，壓(ya)敏标稱300V，壓敏(mǐn)在🚶電壓超過(guo)300V時導通，流過(guo)電流。5KA時在壓(ya)敏兩端産生(sheng)400V電壓，就是💃🏻說(shuō)5KA時殘壓是400V。看(kan)完以上的内(nèi)容大